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压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱

王 茺 陈平平 周旭昌 夏长生 王少伟 陈效双 陆 卫

压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱

王 茺, 陈平平, 周旭昌, 夏长生, 王少伟, 陈效双, 陆 卫
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-09-30
  • 修回日期:  2004-12-13
  • 刊出日期:  2005-07-07

压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10074068和60244002)资助的课题.

摘要: 报道了压电调制反射测量系统的建立,应用该系统获得了势阱宽度分别为5nm和25nm的两个G aAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱的压电调制反射谱. 从图谱中可以看 出,在室 温下能够较容易地分辨出和轻、重空穴相关联的子带跃迁. 在阱宽25nm的样品中还观察到了 自旋-轨道跃迁. 利用有效质量理论近似计算,对量子阱样品的图谱结构进行了指认,发现 实验值和计算值能够较好地符合.

English Abstract

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