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阻挡层电容对ACu3Ti4O12巨介电性能的影响研究

周小莉 杜丕一

阻挡层电容对ACu3Ti4O12巨介电性能的影响研究

周小莉, 杜丕一
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-02-27
  • 修回日期:  2004-04-16
  • 刊出日期:  2005-01-19

阻挡层电容对ACu3Ti4O12巨介电性能的影响研究

  • 1. (1)台州学院物理系,临海 317000浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027

摘要: 用固相反应法成功地制备了ACu3Ti4O12(A=Ca,La,Y)系列陶瓷,在50—300K温区内测量了样品的介电性能,分析了交流电导与外场频率、温度的关系.发现在相同组分的CaCu3Ti4O12晶体中相对含量大于等于0776时,样品的相对介电常数可达104;而A位上价态为3+的化合物La2/3Cu3Ti4O12和Y2/3Cu3Ti4O12相对介电常数仅为103.分析表明,样品中内部阻挡层电容数目的多少直接对ACu3Ti4O12的相对介电常数产生影响.电导与温度及频率的关系是由电子、声子与外场的共同作用决定的.

English Abstract

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