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界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响

张春福 郝 跃 游海龙 张金凤 周小伟

界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响

张春福, 郝 跃, 游海龙, 张金凤, 周小伟
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-12-16
  • 修回日期:  2005-03-14
  • 刊出日期:  2005-08-20

界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响

  • 1. 西安电子科技大学微电子学研究所,宽禁带材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:51327020301)资助的课题.

摘要: 在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两部分:电偶极子和极化项,在建立的GaN/AlGaN/GaN结构IHP模型的基础上,对电偶极子 对器件UV/Solar选择比的影响进行了分析.分析结果表明,只有在考虑电偶极子的影响时, 光电探测器的UV/Solar选择比在103数量级左右,与实验结果符合较好.因此, 在IHP中必须考虑电偶极子的影响.

English Abstract

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