搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制

王彦刚 许铭真 谭长华 段小蓉

超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制

王彦刚, 许铭真, 谭长华, 段小蓉
PDF
导出引用
导出核心图
  • 研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿 后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowl er-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0936eV,远小于S i/Si O2界面的势垒高度315eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界 面量子化能级上的 电子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能 级和电 子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐 渐降低.
    • 基金项目: 国家重点基础研究专项基金(批准号:TG2000-036503)资助的课题.
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  3770
  • PDF下载量:  1231
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2005-01-07
  • 修回日期:  2005-03-11
  • 刊出日期:  2005-04-05

超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制

  • 1. 北京大学微电子学研究所,北京 100871
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项基金(批准号:TG2000-036503)资助的课题.

摘要: 研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿 后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowl er-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0936eV,远小于S i/Si O2界面的势垒高度315eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界 面量子化能级上的 电子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能 级和电 子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐 渐降低.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回