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GaAs/Ga1-xAlxAs半导体量子阱光辐射-热离子制冷

马中水 韩 鹏 金奎娟 周岳亮 周庆莉 王 旭 赵嵩卿

GaAs/Ga1-xAlxAs半导体量子阱光辐射-热离子制冷

马中水, 韩 鹏, 金奎娟, 周岳亮, 周庆莉, 王 旭, 赵嵩卿
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-01-27
  • 修回日期:  2005-02-28
  • 刊出日期:  2005-09-20

GaAs/Ga1-xAlxAs半导体量子阱光辐射-热离子制冷

  • 1. (1)北京大学物理学院,北京 100871; (2)中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10274100)资助的课题.

摘要: 采用数值计算方法分析了GaAs/Ga1-xAlxAs 半导体量子阱的光 辐射-热离子制冷. 以漂移-扩散模型为基础,通过电流连续性方程和泊松方程自洽地计算出在外加正向偏压的 条件下半导体内部的载流子分布情况,并在此基础上计算了阱内载流子的发光复合和俄歇复 合,从而确定了半导体异质结量子阱光辐射-热离子制冷的最优条件.进一步分析了不同Al组 分的Ga1-xAlxAs材料以及不同的掺杂浓度对制冷效果的影响, 为该领域的实验工作提供了极有价值的参考.

English Abstract

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