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掺杂半导体β-FeSi2电子结构及几何结构第一性原理研究

潘志军 张澜庭 吴建生

掺杂半导体β-FeSi2电子结构及几何结构第一性原理研究

潘志军, 张澜庭, 吴建生
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-10-27
  • 修回日期:  2005-03-21
  • 刊出日期:  2005-11-20

掺杂半导体β-FeSi2电子结构及几何结构第一性原理研究

  • 1. 上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试开放实验室,上海 200030,中国
    基金项目: 

    上海市应用材料研究与发展基金(批准号:0317)和国家自然科学基金(批准号:50131030)资助的课题.

摘要: 采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法,使用广义梯度近似处理交换相关势能,首先计算了β-FeSi2的电子结构及其各元素各亚层电子的能态密度,β-FeSi2的电子能态密度主要由Fe的d层电子和Si的p层电子的能态密度确定;其次通过计算不同掺杂系统的总能量确定了掺杂原子在β-FeSi2中的置换位置,在β-FeSi2中,Co置换FeⅡ位置的Fe原子,Al置换SiⅠ位置的Si原子,这种择位置换与现有的计算结果完全一致;最后计算了Fe1-xCoxSi2和Fe(Si1-xAlx)2的电子结构,对它们的电子结构特征进行了分析,并探讨了电子结构对其热电性能(塞贝克系数、电传输及热传输性能)的影响.

English Abstract

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