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Dy掺杂对Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷性能的影响

羌 锋 朱 骏 毛翔宇 陈小兵

Dy掺杂对Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷性能的影响

羌 锋, 朱 骏, 毛翔宇, 陈小兵
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-08-04
  • 修回日期:  2005-04-04
  • 刊出日期:  2005-11-20

Dy掺杂对Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷性能的影响

  • 1. 扬州大学物理科学与技术学院,扬州 225002
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10274066)资助的课题.

摘要: 用传统固相烧结法制备了Sr2Bi4-xDyxTi5 O18(SBDT-x, x=0—0.20)陶瓷样品. x射线衍射分析表明, 微量的Dy掺杂没有影 响Sr2Bi4Ti5O18(SBTi) 原有的层状钙钛 矿结构. 通过研究样品的介电特性, 发现Dy掺杂减小了材料的损耗因子, 降低了样品铁电- 顺电相转变的居里温度. 铁电性能测量结果表明, 随Dy含量的增加, SBDT-x系列样品的剩余 极化先增大, 后减小. 当Dy掺杂量为0.01时, 剩余极化达到最大值, 约为20.1 μC·cm-2. 掺杂引起剩余极化的变化, 与材料中缺陷浓度、内应力以及晶格畸变程度等因 素有关, 是多种作用机理相互竞争的结果. (Bi2O2)2+ 层通常被看作是绝缘层和空间电荷库, 对材料的铁电性能起关键作用. 掺杂离子进入(Bi2O2)2+层会导致铁电性能变差.

English Abstract

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