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SiCOH低介电常数薄膜的性质和键结构分析

王婷婷 叶 超 宁兆元 程珊华

SiCOH低介电常数薄膜的性质和键结构分析

王婷婷, 叶 超, 宁兆元, 程珊华
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-05-09
  • 修回日期:  2004-06-02
  • 刊出日期:  2005-01-05

SiCOH低介电常数薄膜的性质和键结构分析

  • 1. 苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室,苏州 215006
    基金项目: 

    苏州大学薄膜材料江苏省重点实验室资助的课题.

摘要: 以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR_CVD)方法制备了具有低介电常数,且电绝缘性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜. 通过对富氏变换红外光谱(FTIR)的分析,比较了反应源和薄膜键结构的差异,证实薄膜中一方面保持了源中由Si—O—Si键构成的环结构,另一方面形成了由大键角Si—O—Si键构成的鼠笼式结构,在沉积过程中失去的主要是侧链的—CH3基团. 薄膜经过400℃热处理后,其介电常数由385降低到285,对其FTIR谱的分析指出,薄膜中鼠笼式结构比例的增加可能是薄膜介电常数降低的原因.

English Abstract

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