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半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性

许兴胜 孙增辉 杜 伟 鲁 琳 陈弘达 熊志刚 金爱子 张道中

半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性

许兴胜, 孙增辉, 杜 伟, 鲁 琳, 陈弘达, 熊志刚, 金爱子, 张道中
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-06-23
  • 修回日期:  2005-07-04
  • 刊出日期:  2006-03-20

半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所光电子集成国家重点实验室,北京 100083; (2)中国科学院物理研究所,北京 100080
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610402),国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA311020),国家自然科学基金(批准号:60345008, 60377011)资助的课题.

摘要: 利用聚焦离子束刻蚀方法和电子束制版结合干法刻蚀方法制备了二维近红外波段光子晶体,发现两种方法都可以制备出均匀的二维光子晶体,聚焦离子束方法操作简单,电子束制版结合干法刻蚀方法操作步骤复杂.光谱测试表明,利用聚焦离子束方法在有源材料上刻蚀的光子晶体不发光,而电子束制版结合干法刻蚀方法制备的小晶格常数光子晶体即使有些无序,其出光效率也提高到没有光子晶体时的两倍.对两种方法所加工的光子晶体不发光和提高出光效率的机理进行了分析.

English Abstract

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