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两种不同(Ba,Sr)TiO3薄膜介电-温度特性的研究

唐秋文 沈明荣 方 亮

两种不同(Ba,Sr)TiO3薄膜介电-温度特性的研究

唐秋文, 沈明荣, 方 亮
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-08
  • 修回日期:  2005-08-15
  • 刊出日期:  2006-03-20

两种不同(Ba,Sr)TiO3薄膜介电-温度特性的研究

  • 1. 苏州大学物理科学与技术学院,薄膜材料江苏省重点实验室,苏州 215006
    基金项目: 

    国家自然科学青年基金(批准号:10204016)资助的课题.

摘要: 研究并比较了两种不同(Ba0.5,Sr0.5)TiO3(BSTO)薄膜介电-温度特性.采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备BSTO薄膜,发现制备条件的不同,可以得到介电性质完全不同的BSTO薄膜.在550℃和氮气氛下制备的BSTO薄膜在常温下具有很高的介电常数,在10kHz下,超过2500,并在200K温度以上介电常数基本不变.它的一些电学性质不同于在正常条件(650℃和氧气氛下)制得的BSTO薄膜,而类似于目前广泛报道的巨介电常数材料如CaCu3Ti4O12.两种薄膜介电性质测试结果表明: 氧气氛下制备的BSTO薄膜呈现铁电-顺电相变,符合居里-外斯定律;低温氮气氛下制备的BSTO薄膜,介电弛豫时间和温度的关系符合德拜模型,是热激发弛豫.文中给出了产生这种介电特性的初步解释.

English Abstract

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