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掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究

徐叙瑢 宋淑芳 陈维德 许振嘉

掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究

徐叙瑢, 宋淑芳, 陈维德, 许振嘉
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-10
  • 修回日期:  2005-08-15
  • 刊出日期:  2006-03-20

掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究

  • 1. (1)北京交通大学光电子研究所,北京 100044; (2)北京交通大学光电子研究所,北京 100044;中国科学院半导体研究所,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60176025),国家重点基础研究发展计划项目(973计划)(批准号2 003CB314707)和中国博士后科学基金(批准号:2005037302)资助的课题.

摘要: 利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了 电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0.270eV处有一个深能级;GaN注 入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位于导带下0.300 eV,0.188 eV,0.600 eV 和0.410 eV;GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级 ,能级位置位于导带下0.280 eV,0.190 eV,0.610 eV 和0.390 eV;对每一个深能级的来源 进行了讨论.光谱研究表明,掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后,可以观察到Er的1538nm 处的发光,而且对能量输运和发光过程进行了讨论.

English Abstract

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