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斜磁场作用下的射频等离子体平板鞘层结构

邹 秀

斜磁场作用下的射频等离子体平板鞘层结构

邹 秀
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-08-19
  • 修回日期:  2005-12-06
  • 刊出日期:  2006-02-05

斜磁场作用下的射频等离子体平板鞘层结构

  • 1. 大连交通大学数理系,大连 116028
    基金项目: 

    国家高技术(批准号:2002AA123032)资助的课题.

摘要: 建立一个一维坐标空间、三维速度空间的斜磁场作用下的射频等离子体平板鞘层模型,讨论了磁场对射频鞘层结构及其参数特性的影响.研究结果表明:磁场对鞘层结构有不可忽略的影响,特别是能够使鞘层边界附近的离子速度分布和密度分布产生明显的变化.此外,虽然磁场不能改变离子总的能量密度分布,却能改变离子的运动状态,并同时影响着基板上离子在各个方向上的能量分布和入射偏移角度.

English Abstract

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