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单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性

崔利杰 姚 炜 朱 博 仇志军 郭少令 林 铁 桂永胜 褚君浩 周文政

单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性

崔利杰, 姚 炜, 朱 博, 仇志军, 郭少令, 林 铁, 桂永胜, 褚君浩, 周文政
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-07-05
  • 修回日期:  2005-10-19
  • 刊出日期:  2006-02-05

单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:001CB309506-2)资助的课题.

摘要: 研究了双子带占据的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0 .47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效应,获得了不 同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置.低磁感应强度(B<1.5T)下由迁移率谱和 多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致.在d 2ρ/dB2-1/B的快速傅里叶变换

English Abstract

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