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FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

张 辉 王宝义 张仁刚 张 哲 钱海杰 苏 润 奎热西 魏 龙

FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

张 辉, 王宝义, 张仁刚, 张 哲, 钱海杰, 苏 润, 奎热西, 魏 龙
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-04-27
  • 修回日期:  2005-09-13
  • 刊出日期:  2006-05-20

FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

  • 1. (1)中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室,北京 100049; (2)中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京 100049

摘要: 用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2. 采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构. 结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2—10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.

English Abstract

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