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氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响

林璇英 余云鹏 林揆训 祝祖送 魏俊红 黄 锐

氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响

林璇英, 余云鹏, 林揆训, 祝祖送, 魏俊红, 黄 锐
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-08-30
  • 修回日期:  2005-11-11
  • 刊出日期:  2006-05-20

氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响

  • 1. (1)汕头大学物理系,汕头 515063; (2)汕头大学物理系,汕头 515063;南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000028208)资助的课题.

摘要: 以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在250℃的低温下,研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明,对于以SiCl4和H2组成的反应源气体,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢稀释度的减小而增加,在一定的氢稀释度下薄膜晶化度达到最大值85%;随着氢稀释度的继续减小,薄膜晶化度迅速下降,并逐渐向非晶态结构转变.随氢稀释度的减小,薄膜的光学带隙由 1.5eV减小至约1.2eV,而后增大至1.8eV.沉积速率则随氢稀释度的减小先增加后减小,在无氢条件下,无薄膜形成.在最佳氢稀释度条件下,Cl基是促进晶化度提高,晶粒长大的一个主要因素.

English Abstract

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