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GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

徐海红 焦中兴 刘晓东 雷 亮 文锦辉 王 惠 林位株 赖天树

GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

徐海红, 焦中兴, 刘晓东, 雷 亮, 文锦辉, 王 惠, 林位株, 赖天树
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-08-12
  • 修回日期:  2005-10-18
  • 刊出日期:  2006-05-20

GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究

  • 1. 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理系,广州市 510275
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60378006, 10274170)和国家自然科学基金重大项目(批准号:60490290)及广东省自然科学基金(批准号:04009736)、科技厅重点引导项目(批准号:2004B10101006) 、高等学校博士学科点基金(批准号:20050558030)资助的课题.

摘要: 采用时间分辨椭圆偏振光抽运-探测光谱研究磁场作用下本征GaAs中电子自旋弛豫动力学,观察到吸收量子拍现象.这种吸收量子拍起源于电子自旋的拉莫尔进动,因而其拍频成为高精度测量电子g因子的一种新方法.利用这种新方法研究了本征GaAs中电子g因子的温度和能量依赖特性,发现g因子随电子的温度和能量增加而增加,但与k·p理论预测相差甚大.基于实验结果拟合,我们给出了一个g因子的温度和能量依赖的经验公式.

English Abstract

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