用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

缑  洁; 何志巍; 潘国辉; 王印月

doi:10.7498/aps.55.2936

搜索

文章查询

期刊名称:

年:

期:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

缑洁 , 何志巍 , 潘国辉 , 王印月

用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

缑洁, 何志巍, 潘国辉, 王印月

物理学报. 2006, 55(6): 2936-2940.

doi: 10.7498/aps.55.2936.

摘要
用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜，用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响，得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015cm-3·eV-1，以及带隙中隙态随能量的分布. 并对造成隙态的主要原因也进行了讨论.

关键词:
隙态密度 /

　SCLC /

　多孔SiO2:F /

　低k
作者及机构信息
缑洁,

何志巍,

潘国辉,

王印月

1.
兰州大学物理系，兰州 730000

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：50272027)资助的课题.
参考文献

施引文献

[1]	梁荣庆, 卫永霞, 钱晓梅, 俞笑竹, 叶超, 宁兆元. O2掺杂对SiCOH低k薄膜结构与电学性能的影响. 物理学报, 2007, 56(2): 1172-1176. doi: 10.7498/aps.56.1172
[2]	何志巍, 甄聪棉, 兰伟, 王印月. 溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜. 物理学报, 2003, 52(12): 3130-3134. doi: 10.7498/aps.52.3130
[3]	杨传路, 张岩, 陈雪风, 齐凯天, 李兵, 盛勇. (SiO2)n-(n≤7)团簇的密度泛函研究. 物理学报, 2010, 59(7): 4598-4601. doi: 10.7498/aps.59.4598
[4]	许伯威, 孔凡梅, 宫学惠. K—K共振态. 物理学报, 1964, 104(11): 1129-1134. doi: 10.7498/aps.20.1129
[5]	陈开茅, 武兰青, 彭清智, 刘鸿飞. p型硅MOS结构Si/SiO2界面及其附近的深能级与界面态. 物理学报, 1992, 41(11): 1870-1879. doi: 10.7498/aps.41.1870
[6]	吴广明, 王珏, 沈军, 杨天河, 张勤远, 周斌, 邓忠生, 范滨, 周东平, 张凤山. 实验条件对纳米多孔SiO2薄膜结构及特性的影响. 物理学报, 2001, 50(1): 175-181. doi: 10.7498/aps.50.175
[7]	马保宏, 李燕, 王建, 陈建彪, 王成伟, 刘维民. 多孔TiO2/Al/SiO2纳米复合结构的紫外光吸收特性研究. 物理学报, 2008, 57(1): 586-591. doi: 10.7498/aps.57.586
[8]	曾树荣, 陈开茅, 金泗轩, 武兰青, 刘鸿飞. 在p型硅MOS结构Si/SiO2界面区中与金有关的界面态和深能级. 物理学报, 1993, 42(8): 1324-1332. doi: 10.7498/aps.42.1324
[9]	雷洁梅, 吕柳, 刘玲, 许小亮. 多孔SiO2包裹磁性纳米颗粒Fe3O4的制备与表征. 物理学报, 2011, 60(1): 017501. doi: 10.7498/aps.60.017501
[10]	许伯威, 武尚賢, 黄五羣. 关于Kπ共振态. 物理学报, 1966, 133(8): 961-966. doi: 10.7498/aps.22.961
[11]	许伯威. K-π共振态. 物理学报, 1965, 114(1): 221-222. doi: 10.7498/aps.21.221
[12]	詹明生, 刘堂昆, 王继锁, 冯健. 算符(f(“非汉字符号”))k正交归一本征态的非经典特性. 物理学报, 2002, 51(9): 1983-1988. doi: 10.7498/aps.51.1983
[13]	罗晓东, 狄国庆. 溅射制备Ge,Nb共掺杂窄光学带隙和低电阻率的TiO2薄膜. 物理学报, 2012, 61(20): 206803. doi: 10.7498/aps.61.206803
[14]	苏子敏, 彭少麒. 用内光发射瞬态电流温度谱测定a-Si:H的隙态密度分布. 物理学报, 1986, 35(6): 731-740. doi: 10.7498/aps.35.731
[15]	朱美芳, 许政一. 用热激电导谱确定非晶态半导体能隙态密度的研究. 物理学报, 1989, 38(12): 1988-1995. doi: 10.7498/aps.38.1988
[16]	周鸿娟, 甄聪棉, 张永进, 赵翠莲, 马丽, 侯登录. N掺杂SiO2纳米薄膜的制备及其磁性. 物理学报, 2010, 59(5): 3499-3503. doi: 10.7498/aps.59.3499
[17]	陈蒲生, 刘百勇, 郑耀宗, 刘志宏. 150?快速热氮化SiO2膜的击穿特性. 物理学报, 1991, 40(1): 154-160. doi: 10.7498/aps.40.154
[18]	沈世纲, 黄敞, 于凤树. 关于热生长SiO₂薄膜厚度的测量. 物理学报, 1964, 111(7): 654-661. doi: 10.7498/aps.20.654
[19]	叶超, 宁兆元, 辛煜, 王婷婷, 俞笑竹. Si—OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制. 物理学报, 2006, 55(5): 2606-2612. doi: 10.7498/aps.55.2606
[20]	赵文济, 孔明, 黄碧龙, 李戈扬. SiO2的赝晶化及AlN/SiO2纳米多层膜的超硬效应. 物理学报, 2007, 56(3): 1574-1580. doi: 10.7498/aps.56.1574

引用本文:

Citation:

计量

文章访问数: 946
PDF下载量: 787
被引次数: 0

物理学报. 2006, 55(6): 2936-2940.

doi: 10.7498/aps.55.2936.

用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

1. 兰州大学物理系，兰州 730000

基金项目:

国家自然科学基金(批准号：50272027)资助的课题.

收稿日期: 2005-11-28
修回日期: 2005-12-09
刊出日期: 2006-06-20

摘要: 用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜，用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响，得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015cm-3·eV-1，以及带隙中隙态随能量的分布. 并对造成隙态的主要原因也进行了讨论.

关键词:

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

文章查询

留言板

用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

摘要

作者及机构信息

1.
兰州大学物理系，兰州 730000

参考文献

施引文献

目录

计量

用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

English Abstract

Density of defect states in low-k porous SiO2:F film researched by SCLC method

1.
兰州大学物理系，兰州 730000

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

文章查询

留言板

用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

摘要

作者及机构信息

1. 兰州大学物理系，兰州 730000

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

English Abstract

Density of defect states in low-k porous SiO2:F film researched by SCLC method

1. 兰州大学物理系，兰州 730000

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
兰州大学物理系，兰州 730000

1.
兰州大学物理系，兰州 730000