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静态随机存储器单粒子翻转的Monte Carlo模拟

李 华

静态随机存储器单粒子翻转的Monte Carlo模拟

李 华
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-07-05
  • 修回日期:  2005-12-04
  • 刊出日期:  2006-07-20

静态随机存储器单粒子翻转的Monte Carlo模拟

  • 1. 暨南大学物理系,广州 510632
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10175051)资助的课题.

摘要: 利用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对10—20MeV 中子在静态随机存储器(SRAM)中引起的单粒子翻转进行了模拟,着重对中子在SRAM 灵敏区引起的电离能量沉积进行了计算,并对中子引起单粒子翻转过程相关物理量进行了计算.这些计算模拟结果为了解10—20MeV 中子引起SRAM 单粒子翻转过程提供了详细的统计信息,为SRAM 的抗辐射加固提供相关参考信息.

English Abstract

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