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磁控溅射ZnO薄膜生长的等离子体发射光谱研究

李 勇 孙成伟 刘志文 张庆瑜

磁控溅射ZnO薄膜生长的等离子体发射光谱研究

李 勇, 孙成伟, 刘志文, 张庆瑜
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-24
  • 修回日期:  2006-03-22
  • 刊出日期:  2006-08-20

磁控溅射ZnO薄膜生长的等离子体发射光谱研究

  • 1. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116023
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50240420656)资助的课题.

摘要: 通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2/(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时, Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强

English Abstract

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