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小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型

陈卫兵 徐静平 邹 晓 李艳萍 许胜国 胡致富

小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型

陈卫兵, 徐静平, 邹 晓, 李艳萍, 许胜国, 胡致富
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-09-01
  • 修回日期:  2006-01-06
  • 刊出日期:  2006-10-01

小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型

  • 1. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60376019)和湖北省自然科学基金(批准号:2003ABA087)资助的课题.

摘要: 基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO2、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析,计算时间较自洽解方法大大缩短,适用于MOS器件电路模拟.

English Abstract

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