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离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究

张小东 李公平 尤 伟 张利民 张 宇 刘正民 林德旭

离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究

张小东, 李公平, 尤 伟, 张利民, 张 宇, 刘正民, 林德旭
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-03-05
  • 修回日期:  2006-04-06
  • 刊出日期:  2006-10-01

离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究

  • 1. (1)兰州大学现代物理系,730000; (2)中国科学院高能物理研究所,100080

摘要: 利用离子注入方法和光致发光技术系统研究了注入离子对n型GaN宽黄光发射带的影响.实验采用的注入离子为:N,O,Mg,Si和Ga,剂量分别为1013,1014,1015和1016/cm2,注入温度为室温.注入后的样品在900 ℃流动氮气环境下进行热退火,退火时间为10 min,并对退火前后的样品分别进行室温光致发光测量.通过实验数据的分析,独立提出了提取注入离子对晶体黄光发光特性影响的半经验模型.利用该模型导出的公式,可以确定注入的N,O,Ga,Mg和Si离子对黄光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱.

English Abstract

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