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NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导和隧穿磁电阻

朱 林 陈卫东 谢征微 李伯臧

NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导和隧穿磁电阻

朱 林, 陈卫东, 谢征微, 李伯臧
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-02-22
  • 修回日期:  2006-03-27
  • 刊出日期:  2006-05-05

NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导和隧穿磁电阻

  • 1. (1)四川师范大学物理系与电子工程学院,成都 610066; (2)四川师范大学物理系与电子工程学院,成都 610066;中国科学院物理研究所,北京 100080
    基金项目: 

    教育部科学研究重点项目(批准号: 20040422)和四川省教育厅重点项目(2003A076)资助的课题.

摘要: 在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(此处NM为非磁金属层,FI为铁磁绝缘体或半导体层)的基础上,我们提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结(此处NI表示非磁绝缘体或半导体层). 插入NI层的目的是为了避免原双自旋过滤隧道结中相邻FI层界面处磁的耦合作用所导致的对隧穿磁电阻的不利影响. 在自由电子近似的基础上,利用转移矩阵方法,对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿电导、隧穿磁电阻与FI层及NI层厚度的变化关系以及随偏压的变化关系进行了理论研究.计算结果表明,在NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值.

English Abstract

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