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La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响

郭冬云 王耘波 于 军 高俊雄 李美亚

La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响

郭冬云, 王耘波, 于 军, 高俊雄, 李美亚
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-11-28
  • 修回日期:  2006-02-16
  • 刊出日期:  2006-05-05

La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响

  • 1. (1)华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074; (2)武汉大学物理科学与技术学院,武汉 430072; (3)武汉大学物理科学与技术学院,武汉 430072;华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074
    基金项目: 

    湖北省自然科学基金(批准号:2003ABA061,2004ABA082)资助的课题.

摘要: 利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化值和抗疲劳性能,对La掺杂改善Bi4Ti3O12铁电薄膜性能的机理进行了讨论.

English Abstract

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