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适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型

朱志炜 郝 跃 张金凤 方建平 刘红侠

适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型

朱志炜, 郝 跃, 张金凤, 方建平, 刘红侠
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  • 分析了深亚微米NMOSFET在ESD应力下的非本地传输特性,分析说明了速度过冲效应可以增大漏端电流,改变器件特性. NMOSFET能量弛豫时间与器件中该点的电场、载流子速度和载流子能量密切相关,从而不能再近似为一个常数.利用蒙特卡罗仿真方法得到电子能量弛豫时间和电子高场迁移率与电子能量的关系表达式,并使用上述模型进行了ESD器件仿真,与实验结果的对比显示,使用该能量弛豫时间模型和高场迁移率模型可以得到准确的器件I-V曲线.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60376024)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-05
  • 修回日期:  2006-03-12
  • 刊出日期:  2006-11-20

适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60376024)资助的课题.

摘要: 分析了深亚微米NMOSFET在ESD应力下的非本地传输特性,分析说明了速度过冲效应可以增大漏端电流,改变器件特性. NMOSFET能量弛豫时间与器件中该点的电场、载流子速度和载流子能量密切相关,从而不能再近似为一个常数.利用蒙特卡罗仿真方法得到电子能量弛豫时间和电子高场迁移率与电子能量的关系表达式,并使用上述模型进行了ESD器件仿真,与实验结果的对比显示,使用该能量弛豫时间模型和高场迁移率模型可以得到准确的器件I-V曲线.

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