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H2对Ar稀释SiH4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响

祁 菁 金 晶 胡海龙 高平奇 袁保和 贺德衍

H2对Ar稀释SiH4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响

祁 菁, 金 晶, 胡海龙, 高平奇, 袁保和, 贺德衍
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-11-01
  • 修回日期:  2006-02-21
  • 刊出日期:  2006-11-20

H2对Ar稀释SiH4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响

  • 1. 兰州大学物理系,兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10175030)和高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划资助的课题.

摘要: 以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、抗杂质污染等特性.

English Abstract

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