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纳米MOSFET迁移率解析模型

代月花 陈军宁 柯导明 孙家讹 胡 媛

纳米MOSFET迁移率解析模型

代月花, 陈军宁, 柯导明, 孙家讹, 胡 媛
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-03-17
  • 修回日期:  2006-04-18
  • 刊出日期:  2006-11-20

纳米MOSFET迁移率解析模型

  • 1. 安徽大学电子科学与技术学院,合肥 230039
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60276042)资助的课题.

摘要: 从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度.

English Abstract

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