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大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究

张 芳 赵淑云 吴春亚 刘召军 李学冬 王 中 孟志国 熊绍珍

大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究

张 芳, 赵淑云, 吴春亚, 刘召军, 李学冬, 王 中, 孟志国, 熊绍珍
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-14
  • 修回日期:  2006-04-25
  • 刊出日期:  2006-11-20

大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究

  • 1. (1)科技部高技术研究发展中心,北京 100044; (2)南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,教育部光电子信息科学与技术重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2004AA303570)、国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030)、天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)及国家出国留学人员回国基金资助的课题.

摘要: 用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT,获得了良好的器件特性.

English Abstract

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