搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索

顾培夫 郑臻荣 赵永江 刘 旭

TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索

顾培夫, 郑臻荣, 赵永江, 刘 旭
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3549
  • PDF下载量:  3329
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2006-03-16
  • 修回日期:  2006-07-03
  • 刊出日期:  2006-12-20

TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索

  • 1. 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60478038)资助的课题.

摘要: 对最常用的TiO2和SiO2薄膜应力, 包括应力模型、应力测试方法和不同实验条件下的应力测试结果作了研究.基于曲率法模型,对TiO2和SiO2单层膜和多层膜进行了实验测试,得到了一些有价值的结果,特别是离子辅助淀积和基板温度等工艺参数对薄膜应力的影响.提出了薄膜聚集密度是应力的重要因素,低聚集密度产生张应力,而高聚集密度产生压应力.在多层膜中通过调节工艺参数,适当地控制张应力或压应力,可使累积应力趋向于零.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回