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微晶硅薄膜晶体管稳定性研究

张 芳 李 娟 吴春亚 赵淑云 刘建平 孟志国 熊绍珍

微晶硅薄膜晶体管稳定性研究

张 芳, 李 娟, 吴春亚, 赵淑云, 刘建平, 孟志国, 熊绍珍
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-28
  • 修回日期:  2006-08-21
  • 刊出日期:  2006-12-20

微晶硅薄膜晶体管稳定性研究

  • 1. (1)科学技术部高技术研究发展中心,北京 100044; (2)南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071;南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570)、国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030)、天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)和教育部留学回国人员科研启动基金资助的课题.

摘要: 对有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅薄膜晶体管,测试其偏压衰退特性时,观察到一种“自恢复”的衰退现象.当栅和源漏同时施加10 V的偏压时,测试其源-漏电流随时间的变化,发现源-漏电流先衰减、而后又开始恢复上升的反常现象.而当采用栅压为10 V、源-漏之间施加零偏压的模式时,源-漏电流随时间呈先是几乎指数式下降、随之是衰退速度减缓的正常衰退趋势.就此现象进行了初步探讨.

English Abstract

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