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磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转

彭子龙 韩秀峰 赵素芬 魏红祥 杜关祥 詹文山

磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转

彭子龙, 韩秀峰, 赵素芬, 魏红祥, 杜关祥, 詹文山
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-17
  • 修回日期:  2005-06-29
  • 刊出日期:  2006-01-05

磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转

  • 1. 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京 100080
    基金项目: 

    中国科学院知识创新工程重大课题、国家科技部973基础研究专项(批准号:2001CB610601)、国家杰出青年基金(批准号:50325104)和国家自然科学基金(批准号:10274103)资助的课题.

摘要: 在基于磁性隧道结(Magnetic Tunneling Junction,MTJ)的磁随机存储器(Magnetoresistantive Random Access Memory,MRAM)中利用通过MTJ的垂直电流,实现信息写入的新方法,同时给出了基于此新方法的一种新的MRAM结构和驱动原理图,并分析了它的读和写操作的可行性具体过程.

English Abstract

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