搜索

x
中国物理学会期刊
高级检索

磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转

物理学报, 2006, 55(2): 860-864.
DOI: 10.7498/aps.55.860
CSTR: 32037.14.aps.55.860

Perpendicular current-driven magnetization switching in free layer of magnetic tunneling junctions and MRAM

Acta Phys. Sin., 2006, 55(2): 860-864.
DOI: 10.7498/aps.55.860
CSTR: 32037.14.aps.55.860
PDF
导出引用

  • 摘要

    在基于磁性隧道结(Magnetic Tunneling Junction，MTJ)的磁随机存储器(Magnetoresistantive Random Access Memory，MRAM)中利用通过MTJ的垂直电流，实现信息写入的新方法，同时给出了基于此新方法的一种新的MRAM结构和驱动原理图，并分析了它的读和写操作的可行性具体过程.

     

    Abstract

    A new method of readout and writing process driven by perpendicular current in magnetoresistantive random access memory (MRAM) based on the magnetic tunneling junction is reported, and its schematic structure and operation are described.

     

      作者及机构信息

      Authors and contacts

      参考文献

    目录

    /

    返回文章
    返回