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高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷

王 博 邓爱红 苗杉杉 杨 俊 赵有文 董志远

高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷

王 博, 邓爱红, 苗杉杉, 杨 俊, 赵有文, 董志远
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-07-17
  • 修回日期:  2006-08-16
  • 刊出日期:  2007-07-11

高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷

  • 1. (1)四川大学物理科学与技术学院应用物理系,成都 610065; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083

摘要: 对不同气氛下高温退火非掺杂磷化铟(InP)材料的电子辐照缺陷进行了研究. 除铁受主外,磷化铁(FeP2)气氛下退火后的InP中辐照前没有深能级缺陷,而辐照后样品的热激电流谱(TSC)中出现了5个较为明显的缺陷峰,对应的激活能分别为0.23 eV, 0.26 eV, 0.31 eV, 0.37 eV和0.46 eV. 磷(P)气氛下退火后InP中的热生缺陷较多,电子辐照后形成的缺陷具有复合体特征. 与辐照前相比,辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化. 在同样的条件下,经FeP2 气氛下高温退火后的InP样品的辐照缺陷恢复速度较快. 根据这些现象分析了缺陷的属性、快速恢复机理和缺陷对材料电学性质的影响.

English Abstract

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