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掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究

徐叙瑢 宋淑芳 陈维德 许振嘉

掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究

徐叙瑢, 宋淑芳, 陈维德, 许振嘉
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-05-16
  • 修回日期:  2006-07-28
  • 刊出日期:  2007-07-11

掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究

  • 1. (1)北京交通大学光电子研究所,北京 100044; (2)北京交通大学光电子研究所,北京 100044;中国科学院半导体研究所,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60176025),国家重点基础研究发展计划项目(973计划)(批准号:2003CB314707)和中国博士后科学基金资助课题(批准号:2005037302)资助的课题.

摘要: 利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模,并讨论了共注入O对Er离子发光的影响. 在Raman散射谱中,对于注Er的GaN样品出现了300 cm-1和670 cm-1两个新的Raman峰,而对于Er+O共注样品,除了上述两个峰外,在360 cm-1处出现了另外一个新的峰,其中300 cm-1峰可以用disorder-activated Raman scattering (DARS)来解释,670 cm-1峰是由于与N空位相关的缺陷引起的,而360 cm-1峰是由O注入引起的缺陷络合物产生的. 由于360 cm-1模的缺陷出现,从而导致Er+O共注入GaN薄膜红外光致发光(PL)强度的下降.

English Abstract

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