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As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响

李志华 王文新 刘林生 蒋中伟 高汉超 周均铭

As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响

李志华, 王文新, 刘林生, 蒋中伟, 高汉超, 周均铭
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-04-26
  • 修回日期:  2006-09-16
  • 刊出日期:  2007-07-11

As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响

  • 1. 中国科学院物理研究所,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50572120)资助的课题.

摘要: 用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格,界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量,并对测量结果进行了模拟和分析,发现As保护下生长中断20 s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌,过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点,而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成,两者都使界面变得粗糙.另外,还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用.

English Abstract

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