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半绝缘GaAs光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽效应的二维Monte Carlo模拟

贾婉丽 纪卫莉 施 卫

半绝缘GaAs光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽效应的二维Monte Carlo模拟

贾婉丽, 纪卫莉, 施 卫
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-10
  • 修回日期:  2006-11-09
  • 刊出日期:  2007-02-05

半绝缘GaAs光电导开关产生太赫兹波电场屏蔽效应的二维Monte Carlo模拟

  • 1. (1)西安理工大学理学院,西安 710048; (2)西安理工大学理学院,西安 710048;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:10390160, 10376025,50477011)和国家重大基础研究专项基金(批准号: 2004CCA04500G).

摘要: 利用Ensemble-Monte Carlo模拟方法,对不同实验条件下半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关作为偶极辐射天线在辐射太赫兹电磁波(太赫兹波)中体内电场的分布以及空间电荷屏蔽效应对太赫兹波辐射的影响进行了模拟.载流子的时域空间电场分布表明:用高能量激光脉冲触发低压偏置的GaAs开关,空间电荷屏蔽是限制太赫兹波辐射功率的一个重要因素,并且空间电荷屏蔽能够引起太赫兹波呈现双极性.当高能量飞秒激光脉冲以全电极间隙触发大孔径光电导天线时,空间电荷电场屏蔽效应对太赫兹波的影响不大.

English Abstract

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