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微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究

周炳卿 吴忠华 陈 兴 刘丰珍 朱美芳 周玉琴

微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究

周炳卿, 吴忠华, 陈 兴, 刘丰珍, 朱美芳, 周玉琴
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-25
  • 修回日期:  2006-10-31
  • 刊出日期:  2007-02-05

微晶硅薄膜的表面粗糙度及其生长机制的X射线掠角反射研究

  • 1. (1)内蒙古师范大学物理与电子信息学院,呼和浩特 010022; (2)中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室,北京 100049; (3)中国科学院研究生院物理科学学院,北京 100049
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028208)、中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室开放课题基金、国家自然科学基金(批准号:50662003)和内蒙古自治区自然科学基金(批准号:200308020104)资助的课题.

摘要: 采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积一系列处于不同生长阶段的微晶硅薄膜.通过同步辐射X射线掠角反射技术研究微晶硅薄膜的表面粗糙度随时间等的演化,探讨微晶硅薄膜的生长动力学过程及其生长机制.研究结果表明,在衬底温度为200 ℃,电极间距为2 cm,沉积气压为6.66×102 Pa,射频功率密度为0.22 W/cm2,氢稀释度分别为99%和98%的沉积条件下,在玻璃衬底上生长的微晶硅薄膜生长指数β分别为0.21±0.01和0.24±0.01.根据KPZ模型,微晶硅薄膜的生长机制为有限扩散生长.

English Abstract

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