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气体滞留时间对高速沉积的微晶硅薄膜性能的影响分析

郭群超 耿新华 孙 建 魏长春 韩晓艳 张晓丹 赵 颖

气体滞留时间对高速沉积的微晶硅薄膜性能的影响分析

郭群超, 耿新华, 孙 建, 魏长春, 韩晓艳, 张晓丹, 赵 颖
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-25
  • 修回日期:  2006-10-13
  • 刊出日期:  2007-05-20

气体滞留时间对高速沉积的微晶硅薄膜性能的影响分析

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB202602,2006CB202603)资助的课题.

摘要: 实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,实现了微晶硅硅薄膜的高速沉积,并通过改变气体总流量改变气体滞留时间,考察了气体滞留时间在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率以及光电特性和结构特性的影响.采用沉积速率达到12?/s的高速微晶硅工艺制备微晶硅电池,电池效率达到了5.3%.

English Abstract

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