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微量掺碳nc-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层

励旭东 王文静 张世斌 刁宏伟 曾湘波 廖显伯 许 颖

微量掺碳nc-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层

励旭东, 王文静, 张世斌, 刁宏伟, 曾湘波, 廖显伯, 许 颖
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-06-21
  • 修回日期:  2006-10-10
  • 刊出日期:  2007-05-20

微量掺碳nc-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层

  • 1. (1)北京市太阳能研究所有限公司,北京 100083; (2)葡萄牙里斯本大学材料中心,里斯本2829-516 葡萄牙; (3)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京 100083; (4)中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京 100083;北京市太阳能研究所有限公司,北京 100083
    基金项目: 

    北京市自然科学基金(批准号:04D063)资助的课题.

摘要: 采用等离子增强化学气相沉积方法(PECVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333K,353K和373K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94V.

English Abstract

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