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指数掺杂GaAs光电阴极量子效率的理论计算

常本康 杨 智 邹继军

指数掺杂GaAs光电阴极量子效率的理论计算

常本康, 杨 智, 邹继军
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-10-02
  • 修回日期:  2006-10-14
  • 刊出日期:  2007-05-20

指数掺杂GaAs光电阴极量子效率的理论计算

  • 1. (1)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094;东华理工学院电子工程系,抚州 344000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60678043)、高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050288010)资助的课题.

摘要: 将GaAs光电阴极发射层掺杂浓度由体内到发射表面从高到低的进行指数掺杂,能在发射层形成一个恒定的内建电场,有利于光电子的逸出.在考虑内建电场的作用下,通过建立和求解少数载流子所遵循的一维连续性方程,得到了反射式和透射式指数掺杂阴极的量子效率公式,并利用这些公式对其量子效率进行了理论计算和仿真.计算结果显示发射层指数掺杂能较明显的提高阴极的量子效率,与均匀掺杂阴极相比,能使反射式阴极积分灵敏度提高约20%,透射式阴极提高30%以上.指数掺杂提高阴极量子效率的主要原因与内建电场有关,光电子在内建电场作用下以扩散加漂移的方式到达阴极表面,从而减小了后界面复合速率对阴极的影响,同时提高了阴极的等效电子扩散长度.

English Abstract

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