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辐射感生应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMT电学特性的影响

范 隆 郝 跃

辐射感生应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMT电学特性的影响

范 隆, 郝 跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-04-03
  • 修回日期:  2006-11-16
  • 刊出日期:  2007-03-05

辐射感生应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMT电学特性的影响

  • 1. (1)北京时代民芯科技有限公司,北京 100076; (2)宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学,西安 710071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2002CB3119)资助的课题.

摘要: 基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不但导致2DEG下降和阈值电压正向漂移,而且能够引起漏极输出电流的明显下降.辐射感生应力弛豫是赝配AlmGa1-mN/GaN HEMTs辐射损伤的重要机理之一.

English Abstract

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