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应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究

张鹤鸣 胡辉勇 戴显英 宣荣喜 崔晓英

应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究

张鹤鸣, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜, 崔晓英
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-10-31
  • 修回日期:  2006-11-30
  • 刊出日期:  2007-03-05

应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071;中国电子科技集团第五研究所分析中心,广州 510610
    基金项目: 

    国家部委预研项目(批准号:51308040203,51408061105DZ0171)资助的课题.

摘要: 在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOI p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的Si SOI MOSFET基础上,建立了应变SiGe SOI 量子阱沟道PMOSFET的阈值电压模型和电流-电压(I-V)特性模型,利用Matlab对该结构器件的I-V特性、跨导及漏导特性进行了模拟分析,且与常规结构的器件作了对比.模拟结果表明,应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的性能均比常规结构的器件有大幅度提高.

English Abstract

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