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14MeV中子照相中散射中子对成像影响的Monte Carlo模拟

应纯同 刘广均 章法强 杨建伦 李正宏

14MeV中子照相中散射中子对成像影响的Monte Carlo模拟

应纯同, 刘广均, 章法强, 杨建伦, 李正宏
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-09-26
  • 修回日期:  2006-11-13
  • 刊出日期:  2007-03-05

14MeV中子照相中散射中子对成像影响的Monte Carlo模拟

  • 1. (1)清华大学工程物理系,北京 100084; (2)中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳 621900
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:10035030)和中国工程物理研究院双百人才基金(批准号:2004R0301)资助的课题.

摘要: 依据实验参数,建立了14MeV快中子照相的物理模型,并利用Monte Carlo方法对照相过程进行了模拟. 分析了经聚乙烯样品散射的中子对快中子图像的影响随样品与探测器间距及样品参数的变化. 计算结果表明,样品与探测器的距离dd,而当d>20cm时,样品散射中子对图像的影响可忽略;当样品密度为3—5g/cm3时散射中子对图像的影响相对最大;样品宽度越大,图像中的散射成分越多,当宽度在3cm以上时散射成分的强度趋于饱和.

English Abstract

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