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直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

徐 进 李福龙 杨德仁

直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

徐 进, 李福龙, 杨德仁
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  • 利用透射电镜对掺氮(NCZ) 和普通 (CZ) 直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究. 研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,而在CZ样品中,没有观察到这种氧沉淀. 初步认为,这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成.
    • 基金项目: 厦门大学科研启动经费(批准号:0000-X07157),国家自然科学基金(批准号:50572094)和福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划(批准号:0000-X07201)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-10
  • 修回日期:  2006-12-15
  • 刊出日期:  2007-07-20

直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

  • 1. (1)厦门大学化学化工学院材料科学与工程系, 厦门 361005; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027
    基金项目: 

    厦门大学科研启动经费(批准号:0000-X07157),国家自然科学基金(批准号:50572094)和福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划(批准号:0000-X07201)资助的课题.

摘要: 利用透射电镜对掺氮(NCZ) 和普通 (CZ) 直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究. 研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5nm的氧沉淀生成,而在CZ样品中,没有观察到这种氧沉淀. 初步认为,这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成.

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