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沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响

陈永生 郜小勇 杨仕娥 卢景霄 谷锦华

沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响

陈永生, 郜小勇, 杨仕娥, 卢景霄, 谷锦华
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  • 采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜. 用拉曼光谱、SEM和UV分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行分析. 研究发现:沉积温度较低时,随着沉积温度的升高,薄膜的晶化率增加;当沉积温度超过某一温度值时,随着温度的进一步升高,薄膜的晶化率降低. 这时,表面反应由表面扩散限制转变为流量控制. 该温度值随着硅烷含量的降低而降低.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-09-11
  • 修回日期:  2006-12-08
  • 刊出日期:  2007-07-20

沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响

  • 1. 郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室,郑州 450052
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助的课题.

摘要: 采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜. 用拉曼光谱、SEM和UV分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行分析. 研究发现:沉积温度较低时,随着沉积温度的升高,薄膜的晶化率增加;当沉积温度超过某一温度值时,随着温度的进一步升高,薄膜的晶化率降低. 这时,表面反应由表面扩散限制转变为流量控制. 该温度值随着硅烷含量的降低而降低.

English Abstract

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