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Ge/Si半导体量子点的应变分布与平衡形态

蔡承宇 周旺民

Ge/Si半导体量子点的应变分布与平衡形态

蔡承宇, 周旺民
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-09-21
  • 修回日期:  2007-03-08
  • 刊出日期:  2007-04-05

Ge/Si半导体量子点的应变分布与平衡形态

  • 1. 浙江工业大学机电工程学院,杭州 310032
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:90101004)资助的课题.

摘要: 基于各向异性弹性理论的有限元方法,研究了金字塔形自组织Ge/Si半导体量子点应变能随高宽比变化的规律:系统的应变能随着高宽比的增大而逐渐减小.并通过自由能(应变能与表面能之和)讨论了量子点的平衡形态.结果表明,对于固定体积的量子点,存在一个高宽比值,称之为平衡高宽比,使得系统的自由能最低.同时,还给出了量子点的应力、应变、流体静应变及双轴应变分布.这些可以作为阐明应变自组织量子点实验的理论基础.

English Abstract

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