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Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究

胡良均 陈涌海 叶小玲 王占国

Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究

胡良均, 陈涌海, 叶小玲, 王占国
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-12-01
  • 修回日期:  2007-02-08
  • 刊出日期:  2007-04-05

Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 90201007,60625402,60390074)和国家重点基础研究发展规划(批准号: 2006CB604908)资助的课题.

摘要: 用高能离子注入(160keV)的方法对InAs/GaAs量子点结构进行掺杂,研究了不同退火工艺处理后量子点的光致发光和电学性能.相对于长时间退火,快速退火处理后的量子点发光通常较强.在相同的退火条件下,量子点发光峰位随着Mn注入剂量的增加,先是往高能量端快速移动,而后发光峰又往低能方向移动.后者可能是由于Mn原子进入InAs量子点,释放了InAs量子点中的应变所致.对于高注入剂量样品和长时间退火样品,变温电阻曲线在40 K附近会出现反常行为.

English Abstract

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