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不同量子阱宽度的InP基In0.53GaAs/In0.52AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究

高宏玲 李东临 周文政 商丽燕 王宝强 朱战平 曾一平

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不同量子阱宽度的InP基In0.53GaAs/In0.52AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究

高宏玲, 李东临, 周文政, 商丽燕, 王宝强, 朱战平, 曾一平

Subband electron properties of InGaAs/InAlAs high-electron-mobility transistors with different channel chickness

Gao Hong-Ling, Li Dong-Lin, Zhou Wen-Zheng, Shang Li-Yan, Wang Bao-Qiang, Zhu Zhan-Ping, Zeng Yi-Ping
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-30
  • 修回日期:  2007-01-25
  • 刊出日期:  2007-04-05

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