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硅薄膜沉积中等离子体辉光功率和阻抗的测试分析

Amanatides Elefterious Mataras Dimitris 张晓丹 张发荣 赵 颖

硅薄膜沉积中等离子体辉光功率和阻抗的测试分析

Amanatides Elefterious, Mataras Dimitris, 张晓丹, 张发荣, 赵 颖
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-09-14
  • 修回日期:  2006-10-13
  • 刊出日期:  2007-09-20

硅薄膜沉积中等离子体辉光功率和阻抗的测试分析

  • 1. (1)Plasma Technology Laboratory Department. Chem. Engineering,Patras University,Patra,26500,Greece; (2)南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202602, 2006CB202603),国家自然科学基金(批准号:60506003),天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01600),南开大学博士启动基金(批准号:J02031),教育部新世纪人才计划(NCET)和科技部国际合作重点项目(批准号:2006DFA62390)资助的课题.

摘要: 采用改进的电压和电流测试方法对衬底电极外加不同电压Vs的射频等离子体中的阻抗和功率消耗进行了测试分析.结果表明:在射频电极施加恒定的电压Vel时,随衬底电极外加电压Vs的增加,辉光的电流在增加,结果导致阻抗在减小;另外,通过计算分析发现:仅有一小部分功率用于辉光,大部分功率消耗在匹配器和电缆上.通过对等离子体电学特性的综合测试分析也说明:在保证有足够多的硅烷时,衬底电极外加电压V

English Abstract

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