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高电荷态离子40Arq+与Si表面作用中的电子发射产额

Abdul Qayyum 李福利 赵永涛 肖国青 王瑜玉 詹文龙 徐忠锋 张小安

高电荷态离子40Arq+与Si表面作用中的电子发射产额

Abdul Qayyum, 李福利, 赵永涛, 肖国青, 王瑜玉, 詹文龙, 徐忠锋, 张小安
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-01-10
  • 修回日期:  2007-02-09
  • 刊出日期:  2007-10-20

高电荷态离子40Arq+与Si表面作用中的电子发射产额

  • 1. (1)核科学与技术研究所,伊斯兰堡 44000,巴基斯坦; (2)西安交通大学应用物理系,西安 710049; (3)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000; (4)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000;西安交通大学应用物理系,西安 710049; (5)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000;咸阳师范学院物理系,咸阳 712000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10405025,10574132)和中国科学院科研启动专项资金资助的课题.

摘要: 报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上,用高电荷态40Arq+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中,通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能,系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明,作为引起表面电子发射的两个主要因素,单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系.

English Abstract

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