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同时实现介电常数和磁导率为负的H型结构单元左手材料

刘亚红 罗春荣 赵晓鹏

同时实现介电常数和磁导率为负的H型结构单元左手材料

刘亚红, 罗春荣, 赵晓鹏
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-24
  • 修回日期:  2007-02-24
  • 刊出日期:  2007-10-20

同时实现介电常数和磁导率为负的H型结构单元左手材料

  • 1. 西北工业大学电流变技术研究所,西安 710072
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2004CB719805),国家自然科学基金(批准号:50632030)和国防基础研究资助的课题.

摘要: 基于用一种结构同时实现材料介电常数和磁导率为负的思想,提出了H型结构单元左手材料模型.采用矩形波导法测试表明,H型结构单元在微波频率范围出现左手透射峰,并且可以由参数t对左手特性区域进行调控.同时利用相位法、棱镜折射法和散射参量法从实验和理论证明了在左手透射峰区域材料的折射率为负值,介电常数和磁导率亦同时为负.相对由金属开口谐振环与金属线两种结构组合实现的左手材料,H型结构集磁谐振与电谐振于一体,结构简单、制备方便,对微波器件左手材料表现出更多的优越性.

English Abstract

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