搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

p型ZnO薄膜的制备及特性

王 楠 孔春阳 朱仁江 秦国平 戴特力 南 貌 阮海波

p型ZnO薄膜的制备及特性

王 楠, 孔春阳, 朱仁江, 秦国平, 戴特力, 南 貌, 阮海波
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  3546
  • PDF下载量:  1128
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2006-10-30
  • 修回日期:  2007-03-19
  • 刊出日期:  2007-05-05

p型ZnO薄膜的制备及特性

  • 1. 重庆师范大学物理学与信息技术学院,重庆 400047
    基金项目: 

    重庆市自然科学基金(批准号:AC4034)和重庆市教委项目(批准号:KJ050812)资助的课题.

摘要: 采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜,通过离子注入对样品进行N掺杂,在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征,结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向,退火后p型ZnO薄膜的最高载流子浓度和最低电阻率分别为1.68×1016cm-3和41.5Ω·cm.讨论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜p型转变的影响.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回